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首页 全部分类 APT20M38BVRG vs STW52NK25Z

APT20M38BVRG备选型号: STW52NK25Z

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  • 端子位置
  • 额定电流
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APT20M38BVRG
    Microsemi Corporation
    Trans MOSFET N-CH 200V 67A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    31 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    67A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS V®
    1997
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    HIGH VOLTAGE
    200V
    SINGLE
    67A
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    370W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    38m Ω @ 500mA, 10V
    4V @ 1mA
    6120pF @ 25V
    225nC @ 10V
    21ns
    ±30V
    10 ns
    67A
    30V
    0.038Ohm
    268A
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW52NK25Z
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 250 Volt 52 Amp Zener SuperMESH
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    52A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH™
    -
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    250V
    -
    52A
    -
    -
    增强型MOSFET
    300W
    -
    40 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 26A, 10V
    4.5V @ 150μA
    4850pF @ 25V
    160nC @ 10V
    75ns
    ±30V
    55 ns
    26A
    30V
    -
    208A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    45mOhm
    STW52N
    3
    Single
    3.75V
    250V
    500 mJ
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
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