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首页 全部分类 APT20M45BVFRG vs STW70N60M2

APT20M45BVFRG备选型号: STW70N60M2

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
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  • 引脚数量
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APT20M45BVFRG
    Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH 200V 56A TO-247
    34 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    56A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS V®
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    200V
    SINGLE
    56A
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 500mA, 10V
    4V @ 1mA
    4860pF @ 25V
    195nC @ 10V
    14ns
    ±30V
    7 ns
    56A
    TO-247AD
    30V
    0.045Ohm
    224A
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW70N60M2
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 600V 68A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    68A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II Plus
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    450W
    -
    32 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 34A, 10V
    4V @ 250μA
    5200pF @ 100V
    118nC @ 10V
    17ns
    ±25V
    9 ns
    68A
    -
    25V
    0.04Ohm
    272A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    3
    38.000013g
    STW70N
    1
    Single
    600V
    3V
    600V
    9000 mJ
    无SVHC
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