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首页 全部分类 APT22F80B vs FCH150N65F-F155

APT22F80B备选型号: FCH150N65F-F155

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  • 终止次数
  • 端子表面处理
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  • 端子位置
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 系列
  • 电阻
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • Microsemi Corporation
    APT22F80B
    Microsemi Corporation
    Trans MOSFET N-CH 800V 23A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    33 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    23A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1997
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    800V
    SINGLE
    22A
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    625W
    DRAIN
    26 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    500m Ω @ 12A, 10V
    5V @ 1mA
    4595pF @ 25V
    150nC @ 10V
    38ns
    ±30V
    33 ns
    23A
    30V
    0.43Ohm
    85A
    975 mJ
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH150N65F-F155
    ON Semiconductor
    MOSFET HV SuperJunction MOS
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.39g
    -
    24A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    28 ns
    N-Channel
    -
    150m Ω @ 12A, 10V
    5V @ 2.4mA
    3737pF @ 100V
    94nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    6 ns
    24A
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    SuperFET® II
    150mOhm
    1
    Single
    650V
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