ON Semiconductor FCH130N60
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FCH130N60
1807-FCH130N60
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
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MOSFET SuperFET2 600V, 130mohm
1最小包装量--
FCH130N60详情
ON Semiconductor FCH130N60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.39g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
28A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
278W Tc
Turn Off Delay Time
65 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperFET® II
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
25 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
130m Ω @ 14A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3590pF @ 380V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
70nC @ 10V
上升时间
16ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
28A
JEDEC-95代码
TO-247AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
600V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
84A
雪崩能量等级(Eas)
720 mJ
高度
20.82mm
长度
15.87mm
宽度
4.82mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FCH130N60拓展信息
ON Semiconductor
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