APT25GR120SSCD10备选型号: IXA4IF1200TC
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- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 无铅
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- IGBT 1200V 75A 521W D3PAK表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA31.2kV-55°C~150°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)521WSingleStandard521WN-CHANNEL3.2V75A1200V3.2V @ 15V, 25ANPT203nC100A16ns/122ns434μJ (on), 466μJ (off)6.5V符合RoHS标准无铅-------------------
- 表面贴装-TO-268-331-----Single--N-CHANNEL1.2kV9A--------符合RoHS标准-1.8V2EAR99150°C-55°C鸥翼IEC-60747R-PSSO-G245WCOLLECTOR电源控制350 nsTO-268AA110 ns350 ns5.1mm16.05mm14mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT25GN120SG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(2 Tab) D3PAK | 对比 |
![]() | IXGT72N60A3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 600V 75A 540W TO268 | 对比 |
![]() | IXA12IF1200TC | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3 | IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200TC IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-268AA, 3 Pins | 对比 |






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