Microsemi Corporation APT25GN120SG

工厂交货时间

25 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Number of Elements

1

Test Conditions

800V, 25A, 1 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

280 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1999

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

272W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

22 ns

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

67A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

39 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 25A

连续集电极电流

67A

关断时间-标准值（toff)

560 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

155nC

集极脉冲电流（Icm）

75A

Td（开/关）@25°C

22ns/280ns

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

高度

5.08mm

长度

16.05mm

宽度

13.99mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅