APT25GT120BRG备选型号: HGTG18N120BN
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 连续集电极电流
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 附加功能
- HTS代码
- 功率耗散
- Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 54A 3-Pin(3 Tab) TO-24724 Weeks通孔通孔TO-247-338.000013gSILICON1.2kV3.2V-55°C~150°C TJTubeThunderbolt IGBT®1999e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)1.2kV347W54A3R-PSFM-T3SingleCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL1.2kV54ATO-247AA1200V41 ns3.7V @ 15V, 25A54A220 nsNPT170nC75A14ns/150ns930μJ (on), 720μJ (off)5.31mm21.46mm16.26mm无符合RoHS标准无铅----
- IGBT 1200V 54A 390W TO24714 Weeks通孔通孔TO-247-36.39gSILICON1.2kV2.45V-55°C~150°C TJTube-2001e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)1.2kV390W54A-R-PSFM-T3Single-StandardMOTOR CONTROLN-CHANNEL1.2kV54A-1200V38 ns2.7V @ 15V, 18A-345 nsNPT165nC165A23ns/170ns800μJ (on), 1.8mJ (off)---无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED8541.29.00.95390W
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGP20B120U-EP | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 40A 300W TO247AD | 对比 |
![]() | IRG4PH50UPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 45A 200W TO247AC | 对比 |
![]() | HGTG18N120BN | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 54A 390W TO247 | 对比 |






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