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首页 全部分类 APT27GA90BD15 vs APT15GP90BDQ1G

APT27GA90BD15备选型号: APT15GP90BDQ1G

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  • 输入类型
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 系列
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT27GA90BD15
    Microsemi Corporation
    IGBT 900V 48A 223W TO247
    33 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    SILICON
    600V, 14A, 10 Ω, 15V
    1999
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    223W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    223W
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    48A
    TO-247AD
    18 ns
    3.1V @ 15V, 14A
    281 ns
    PT
    62nC
    79A
    9ns/98ns
    413μJ (on), 287μJ (off)
    符合RoHS标准
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT15GP90BDQ1G
    Microsemi Corporation
    IGBT 900V 43A 250W TO247
    -
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    SILICON
    900V
    1999
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    锡银铜
    250W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    43A
    TO-247AD
    23 ns
    3.9V @ 15V, 15A
    170 ns
    PT
    60nC
    60A
    9ns/33ns
    200μJ (off)
    符合RoHS标准
    -
    POWER MOS 7®
    低导通损耗
    900V
    未说明
    43A
    未说明
    不合格
    无铅
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