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首页 全部分类 APT27GA90BD15 vs IXYH24N90C3D1

APT27GA90BD15备选型号: IXYH24N90C3D1

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  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 系列
  • 附加功能
  • 反向恢复时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • Microsemi Corporation
    APT27GA90BD15
    Microsemi Corporation
    IGBT 900V 48A 223W TO247
    33 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    SILICON
    600V, 14A, 10 Ω, 15V
    1999
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    223W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    223W
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    48A
    TO-247AD
    18 ns
    3.1V @ 15V, 14A
    281 ns
    PT
    62nC
    79A
    9ns/98ns
    413μJ (on), 287μJ (off)
    符合RoHS标准
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXYH24N90C3D1
    IXYS
    IGBT Transistors 900V 24A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
    8 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    SILICON
    900V
    2013
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    200W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    200W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.7V
    44A
    TO-247AD
    60 ns
    2.7V @ 15V, 24A
    215 ns
    -
    40nC
    105A
    20ns/73ns
    1.35mJ (on), 400μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    38.000013g
    2.7V
    GenX3™, XPT™
    雪崩 额定
    340 ns
    20V
    6V
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