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首页 全部分类 APT30GP60JDQ1 vs APT150GN60JDQ4

APT30GP60JDQ1备选型号: APT150GN60JDQ4

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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 接通延迟时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Microsemi Corporation
    APT30GP60JDQ1
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 600V 67A 245W ISOTOP
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    POWER MOS 7®
    1999
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    4
    低导通损耗
    600V
    245W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    63A
    4
    Single
    ISOLATED
    245W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    67A
    500μA
    3.2nF
    31 ns
    2.7V @ 15V, 30A
    165 ns
    PT
    无
    3.2nF @ 25V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT150GN60JDQ4
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOP
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    -
    1999
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
    600V
    536W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    220A
    4
    Single
    ISOLATED
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    220A
    50μA
    9.2nF
    154 ns
    1.85V @ 15V, 150A
    575 ns
    沟渠现场停车
    无
    9.2nF @ 25V
    符合RoHS标准
    无铅
    25 Weeks
    30.000004g
    1.5V
    e1
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    44 ns
    30V
    6.5V
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
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