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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥247.084735
10
¥233.09881
100
¥219.904534
500
¥207.45711
1000
¥195.714257
IXXN200N60B3详情
IXYS IXXN200N60B3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
28 Weeks
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~175°C TJ
系列
XPT™, GenX3™
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
附加功能
UL 认证
最大功率耗散
940W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
JESD-30代码
R-PUFM-X4
配置
Single
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
940W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.7V
最大集电极电流
280A
最大集极截止电流
50μA
输入电容
9.97nF
接通时间
140 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.7V @ 15V, 100A
关断时间-标准值(toff)
395 ns
IGBT类型
PT
NTC热敏电阻
无
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
9.97nF @ 25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IXXN200N60B3拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS









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