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首页 全部分类 APT30GS60BRDLG vs HGTG12N60A4D

APT30GS60BRDLG备选型号: HGTG12N60A4D

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  • 引脚数量
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  • 元素配置
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  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 反向恢复时间
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT30GS60BRDLG
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    OBSOLETE (Last Updated: 3 weeks ago)
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    250W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    250W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    54A
    TO-247AD
    45 ns
    3.15V @ 15V, 30A
    412 ns
    NPT
    145nC
    113A
    16ns/360ns
    570μJ (off)
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTG12N60A4D
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 54A 167W TO247
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2002
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    167W
    -
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    54A
    -
    33 ns
    2.7V @ 15V, 12A
    180 ns
    -
    78nC
    96A
    17ns/96ns
    55μJ (on), 50μJ (off)
    无
    ROHS3 Compliant
    4 Weeks
    Tin
    3
    6.39g
    2V
    EAR99
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600V
    54A
    HGTG12N60
    167W
    17 ns
    16ns
    30 ns
    60A
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无铅
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