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首页 全部分类 APT30M85BVRG vs IRFP4229PBF

APT30M85BVRG备选型号: IRFP4229PBF

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  • 端子位置
  • 额定电流
  • 引脚数量
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 终端
  • 电阻
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APT30M85BVRG
    Microsemi Corporation
    Trans MOSFET N-CH 300V 40A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    31 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS V®
    1997
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    300V
    SINGLE
    40A
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    85m Ω @ 500mA, 10V
    4V @ 1mA
    4950pF @ 25V
    195nC @ 10V
    10ns
    ±30V
    7 ns
    40A
    TO-247AD
    30V
    0.085Ohm
    300V
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFP4229PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET Operating temperature: -40... 175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 150 W
    -
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    44A Tc
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2006
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    310mW
    DRAIN
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    46m Ω @ 26A, 10V
    5V @ 250μA
    4560pF @ 25V
    110nC @ 10V
    27ns
    ±30V
    19 ns
    44A
    TO-247AC
    30V
    -
    250V
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    通孔
    46MOhm
    Single
    5V
    250V
    290 ns
    5 V
    无SVHC
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