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首页 全部分类 APT30SCD65B vs APT40DQ60BG

APT30SCD65B备选型号: APT40DQ60BG

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  • 反向电流-最大值
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 反向电压(直流电)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 二极管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 输出电流
  • 最大浪涌电流
  • 峰值反向电流
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT30SCD65B
    Microsemi Corporation
    Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Discrete RECTIFIER
    22 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-2
    6.500007g
    1
    Bulk
    1999
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    150°C
    -55°C
    GENERAL PURPOSE
    HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT, PD-CASE
    8541.10.00.80
    156W
    SINGLE
    R-PSFM-T2
    SINGLE
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    碳化硅肖特基
    600μA @ 650V
    1.8V @ 30A
    CATHODE
    30A
    -55°C~150°C
    1.8V
    650V
    46A
    1
    0ns
    650V
    945pF @ 1V 1MHz
    600μA
    247A
    650V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT40DQ60BG
    Microsemi Corporation
    DIODE GEN PURP 600V 40A TO247
    25 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-2
    6.500007g
    1
    Tube
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    175°C
    -55°C
    超快软恢复
    -
    8541.10.00.80
    -
    -
    R-PSFM-T3
    -
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    25μA @ 600V
    2.4V @ 40A
    CATHODE
    40A
    -55°C~175°C
    2V
    600V
    40A
    1
    25 ns
    600V
    -
    -
    -
    600V
    符合RoHS标准
    IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)
    SILICON
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    600V
    40A
    3
    Single
    40A
    320A
    25μA
    320A
    22 ns
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    无
    无铅
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