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首页 全部分类 APT33GF120B2RDQ2G vs IXYH40N120C3D1

APT33GF120B2RDQ2G备选型号: IXYH40N120C3D1

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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 系列
  • 附加功能
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Microsemi Corporation
    APT33GF120B2RDQ2G
    Microsemi Corporation
    IGBT 1200V 64A 357W TMAX
    29 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    1.2kV
    357W
    64A
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    64A
    1200V
    31 ns
    3V @ 15V, 25A
    355 ns
    NPT
    170nC
    75A
    14ns/185ns
    1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
    6.5V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXYH40N120C3D1
    IXYS
    IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    480W
    -
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    64A
    1200V
    99 ns
    4V @ 15V, 40A
    178 ns
    -
    85nC
    105A
    24ns/125ns
    3.9mJ (on), 660μJ (off)
    5V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    4.8V
    GenX3™, XPT™
    雪崩 额定
    480W
    24 ns
    195ns
    TO-247AD
    20V
    21.46mm
    16.26mm
    5.3mm
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