APT33N90JCU3备选型号: HGT1N30N60A4D

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 包装
  • 操作温度
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • NTC热敏电阻
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    Trans MOSFET N-CH 900V 33A 4-Pin SOT-227
    22 Weeks
    SOT-227-4, miniBLOC
    底座安装
    Chassis Mount, Screw
    4
    SILICON
    290W Tc
    2012
    Tray
    -40°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    290W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    120m Ω @ 26A, 10V
    3.5V @ 3mA
    6800pF @ 100V
    270nC @ 10V
    900V
    ±20V
    33A
    20V
    75A
    900V
    超级交界处
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail
    -
    SOT-227-4, miniBLOC
    底座安装
    Chassis Mount, Screw
    4
    -
    600V
    -
    -
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    225W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    2.7V
    600V
    255W
    96A
    Standard
    600V
    96A
    250μA
    2.7V @ 15V, 30A
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比