HGT1N30N60A4D
HGT1N30N60A4D

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ON Semiconductor HGT1N30N60A4D

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型号

HGT1N30N60A4D

utmel 编号

1807-HGT1N30N60A4D

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

SOT-227-4, miniBLOC

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail

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HGT1N30N60A4D
HGT1N30N60A4D ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail

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HGT1N30N60A4D详情

ON Semiconductor HGT1N30N60A4D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    Chassis Mount, Screw

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    SOT-227-4, miniBLOC

  • 引脚数

    4

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.7V

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电压 - 额定直流

    600V

  • 最大功率耗散

    255W

  • 额定电流

    96A

  • 配置

    Single

  • 功率耗散

    225W

  • 输入

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600V

  • 最大集电极电流

    96A

  • 最大集极截止电流

    250μA

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.7V @ 15V, 30A

  • NTC热敏电阻

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor HGT1N30N60A4D.

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & HGT1N30N60A4D相似的参数规格。

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