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首页 全部分类 APT38F80L vs NTY100N10G

APT38F80L备选型号: NTY100N10G

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  • 晶体管元件材料
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
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  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Microsemi Corporation
    APT38F80L
    Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH 800V 41A TO-264
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    33 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    41A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 8™
    1997
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    纯哑光锡
    FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED
    800V
    SINGLE
    未说明
    38A
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    1.04kW
    DRAIN
    46 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    240m Ω @ 20A, 10V
    5V @ 2.5mA
    8070pF @ 25V
    260nC @ 10V
    65ns
    ±30V
    60 ns
    41A
    30V
    22A
    0.28Ohm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTY100N10G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 123A TO-264
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
    -
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    123A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    100V
    -
    260
    123A
    40
    3
    -
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    313W
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    10110pF @ 25V
    350nC @ 10V
    150ns
    ±20V
    250 ns
    123A
    20V
    -
    0.01Ohm
    符合RoHS标准
    无铅
    3
    EAR99
    Single
    100V
    500 mJ
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NTY100N10G NTY100N10G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-264-3, TO-264AA MOSFET N-CH 100V 123A TO-264 对比