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首页 全部分类 APT40DQ60BG vs ISL9R3060G2-F085

APT40DQ60BG备选型号: ISL9R3060G2-F085

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  • 额定电流
  • 引脚数量
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  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 输出电流
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
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  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 恢复时间
  • 反向电压(直流电)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • Reach合规守则
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • Microsemi Corporation
    APT40DQ60BG
    Microsemi Corporation
    DIODE GEN PURP 600V 40A TO247
    IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)
    25 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-2
    6.500007g
    SILICON
    1
    Tube
    1997
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    175°C
    -55°C
    超快软恢复
    8541.10.00.80
    600V
    40A
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    25μA @ 600V
    40A
    2.4V @ 40A
    CATHODE
    40A
    -55°C~175°C
    320A
    2V
    600V
    40A
    1
    25 ns
    25μA
    600V
    320A
    22 ns
    600V
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ISL9R3060G2-F085
    ON Semiconductor
    Rectifiers 30A, 600V Stealth Diode
    -
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-2
    6.33g
    -
    1
    Tube
    -
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    175°C
    -55°C
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100μA @ 600V
    -
    2.4V @ 30A
    -
    30A
    -55°C~175°C
    90A
    2.4V
    600V
    30A
    -
    45 ns
    100μA
    600V
    -
    31 ns
    600V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    Automotive, AEC-Q101, Stealth™
    not_compliant
    90A
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