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首页 全部分类 APT40GP60B2DQ2G vs IXXH50N60C3D1

APT40GP60B2DQ2G备选型号: IXXH50N60C3D1

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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 已出版
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • Microsemi Corporation
    APT40GP60B2DQ2G
    Microsemi Corporation
    IGBT 600V 100A 543W TMAX
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    600V
    543W
    40A
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    543W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    100A
    49 ns
    2.7V @ 15V, 40A
    160 ns
    PT
    135nC
    160A
    20ns/64ns
    385μJ (on), 350μJ (off)
    20V
    6V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXXH50N60C3D1
    IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    600W
    -
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    100A
    69 ns
    2.3V @ 15V, 36A
    170 ns
    PT
    64nC
    200A
    24ns/62ns
    720μJ (on), 330μJ (off)
    20V
    5.5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    6.500007g
    2.3V
    2013
    IXX*N60
    600W
    24 ns
    25 ns
    TO-247AD
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