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首页 全部分类 APT40GR120B2SCD10 vs FGH40T120SMD

APT40GR120B2SCD10备选型号: FGH40T120SMD

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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
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  • 功率耗散
  • 极性/通道类型
  • 反向恢复时间
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  • 连续集电极电流
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • Microsemi Corporation
    APT40GR120B2SCD10
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 88A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    22 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2001
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    500W
    Single
    Standard
    20 ns
    500W
    3.2V
    88A
    1200V
    3.2V @ 15V, 40A
    NPT
    210nC
    160A
    20ns/166ns
    929μJ (on), 1070μJ (off)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH40T120SMD
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Rail
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    555W
    Single
    Standard
    40 ns
    -
    1.2kV
    80A
    1200V
    2.4V @ 15V, 40A
    沟渠现场停车
    370nC
    160A
    40ns/475ns
    2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    3
    6.39g
    1.8V
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    未说明
    not_compliant
    未说明
    555W
    N-CHANNEL
    65 ns
    175°C
    80A
    25V
    7.5V
    4.82mm
    15.87mm
    24.75mm
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