ON Semiconductor FGH40T120SMD

工厂交货时间

4 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

6.39g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8V

Test Conditions

600V, 40A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

475 ns

已出版

2013

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

555W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

功率耗散

555W

输入类型

Standard

接通延迟时间

40 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

80A

反向恢复时间

65 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 40A

最大结点温度（Tj）

175°C

连续集电极电流

80A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

370nC

集极脉冲电流（Icm）

160A

Td（开/关）@25°C

40ns/475ns

开关能量

2.7mJ (on), 1.1mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

25V

栅极-发射极Thr电压-最大值

7.5V

宽度

4.82mm

长度

15.87mm

高度

24.75mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant