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首页 全部分类 APT40GR120S vs HGT1S10N120BNS

APT40GR120S备选型号: HGT1S10N120BNS

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 晶体管元件材料
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大击穿电压
  • 接通时间
  • 连续集电极电流
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Microsemi Corporation
    APT40GR120S
    Microsemi Corporation
    APT40GR120 Series 1200 V 88 A 210nC 500 W NPT Type IGBT - D3PAK
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    500W
    Standard
    500W
    N-CHANNEL
    3.2V
    88A
    1200V
    3.2V @ 15V, 40A
    NPT
    210nC
    160A
    22ns/163ns
    1.38mJ (on), 906μJ (off)
    30V
    6V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGT1S10N120BNS
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(2 Tab) TO-263AB Rail
    44 Weeks
    Surface Mount, Through Hole
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    312W
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    35A
    1200V
    2.7V @ 15V, 10A
    NPT
    100nC
    80A
    23ns/165ns
    320μJ (on), 800μJ (off)
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)
    3
    1.31247g
    SILICON
    2.7V
    e3
    yes
    2
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    1.2kV
    鸥翼
    260
    35A
    30
    HGT1S10N120
    R-PSSO-G2
    1.2kV
    Single
    35A
    298W
    COLLECTOR
    MOTOR CONTROL
    1.2kV
    32 ns
    55A
    330 ns
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无
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