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首页 全部分类 APT5016BLLG vs STW26NM50

APT5016BLLG备选型号: STW26NM50

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 端子位置
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APT5016BLLG
    Microsemi Corporation
    Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    IN PRODUCTION (Last Updated: 4 weeks ago)
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    30A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1997
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    500V
    SINGLE
    30A
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    160m Ω @ 15A, 10V
    5V @ 1mA
    2833pF @ 25V
    72nC @ 10V
    10ns
    ±30V
    14 ns
    30A
    TO-247AD
    30V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW26NM50
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    30A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    -
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    500V
    -
    30A
    3
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    28 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    120m Ω @ 13A, 10V
    5V @ 250μA
    3000pF @ 25V
    106nC @ 10V
    15ns
    ±30V
    19 ns
    30A
    -
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    3
    9.071847g
    120mOhm
    STW26N
    1
    Single
    313W
    3V
    26A
    500V
    740 mJ
    150°C
    24.45mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
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