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首页 全部分类 APT50GF60JU2 vs APT200GN60JDQ4

APT50GF60JU2备选型号: APT200GN60JDQ4

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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 功率 - 最大
  • Microsemi Corporation
    APT50GF60JU2
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 600V 75A 277W SOT227
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    30.000004g
    600V
    2.1V
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    150°C
    -55°C
    雪崩 额定
    277W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    Single
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    75A
    40μA
    2.25nF
    103 ns
    2.7V @ 15V, 50A
    450 ns
    NPT
    无
    20V
    2.25nF @ 25V
    2.7 V
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT200GN60JDQ4
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    30.000004g
    600V
    1.5V
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    -
    -
    682W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    Single
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    283A
    50μA
    14.1nF
    130 ns
    1.85V @ 15V, 200A
    660 ns
    沟渠现场停车
    无
    20V
    14.1nF @ 25V
    -
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
    符合RoHS标准
    -
    25 Weeks
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    1999
    e1
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    682W
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