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首页 全部分类 APT50GN60BG vs STGW60H60DLFB

APT50GN60BG备选型号: STGW60H60DLFB

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  • 连续集电极电流
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 功率 - 最大
  • Microsemi Corporation
    APT50GN60BG
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 107A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    600V
    1.5V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    600V
    366W
    107A
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    107A
    TO-247AD
    45 ns
    1.85V @ 15V, 50A
    107A
    400 ns
    沟渠现场停车
    325nC
    150A
    20ns/230ns
    1185μJ (on), 1565μJ (off)
    30V
    6.5V
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW60H60DLFB
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 80A 375W TO-247
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    -
    600V
    1.6V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    375W
    -
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    -
    600V
    80A
    -
    -
    2V @ 15V, 60A
    -
    -
    沟渠现场停车
    306nC
    240A
    -/160ns
    626μJ (off)
    -
    -
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    3
    未说明
    未说明
    STGW60
    375W
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