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首页 全部分类 APT50GT120B2RDLG vs STGWA40M120DF3

APT50GT120B2RDLG备选型号: STGWA40M120DF3

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  • 功率 - 最大
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  • 最大集电极电流
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  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
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  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
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  • 开关能量
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 反向恢复时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APT50GT120B2RDLG
    Microsemi Corporation
    IGBT 1200V 106A 694W TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Thunderbolt IGBT®
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    694W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    694W
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    1.2kV
    106A
    TO-247AD
    1200V
    73 ns
    3.7V @ 15V, 50A
    305 ns
    NPT
    240nC
    150A
    23ns/215ns
    3585μJ (on), 1910μJ (off)
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGWA40M120DF3
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGWA40M120DF3 IGBT Single Transistor, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    468W
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    468W
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    80A
    -
    1200V
    -
    2.3V @ 15V, 40A
    -
    沟渠现场停车
    125nC
    160A
    35ns/140ns
    1.03mJ (on), 480μJ (off)
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    30 Weeks
    3
    38.000013g
    1.85V
    未说明
    未说明
    STGWA40
    355 ns
    20V
    7V
    无SVHC
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