ON Semiconductor NGTB25N120FL3WG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Test Conditions

600V, 25A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2016

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

最大功率耗散

349W

输入类型

Standard

功率 - 最大

349W

集电极发射器电压(VCEO)

2.4V

最大集电极电流

100A

反向恢复时间

114 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 25A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

136nC

Td（开/关）@25°C

15ns/109ns

开关能量

1mJ (on), 700μJ (off)

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅