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首页 全部分类 APT50GT120B2RDQ2G vs IHW40N120R3FKSA1

APT50GT120B2RDQ2G备选型号: IHW40N120R3FKSA1

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  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT50GT120B2RDQ2G
    Microsemi Corporation
    IGBT 1200V 94A 625W TO247
    29 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Thunderbolt IGBT®
    1999
    e3/e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    PURE MATTE TIN/TIN SILVER COPPER
    625W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    625W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    94A
    1200V
    77 ns
    3.7V @ 15V, 50A
    303 ns
    NPT
    340nC
    150A
    24ns/230ns
    2330μJ (off)
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IHW40N120R3FKSA1
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 80A 429W TO247-3
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    1.2kV
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop®
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    429W
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    429W
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    80A
    1200V
    -
    1.75V @ 15V, 40A
    -
    Trench
    335nC
    120A
    -/336ns
    2.02mJ (off)
    -
    符合RoHS标准
    3
    未说明
    未说明
    20V
    6.4V
    无铅
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