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首页 全部分类 APT50GT120JU3 vs APT35GT120JU2

APT50GT120JU3备选型号: APT35GT120JU2

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • Microsemi Corporation
    APT50GT120JU3
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 1200V 75A 347W SOT227
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    22 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    2006
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOW CONDUCTION LOSS
    347W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    Single
    ISOLATED
    347W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    75A
    5mA
    1200V
    3.6nF
    135 ns
    2.1V @ 15V, 50A
    610 ns
    沟渠现场停车
    无
    20V
    3.6nF @ 25V
    2.1 V
    符合RoHS标准
  • Microsemi Corporation
    APT35GT120JU2
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 1200V 55A 260W SOT227
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOW CONDUCTION LOSS
    260W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    Single
    ISOLATED
    260W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    2.1V
    55A
    5mA
    1200V
    2.53nF
    135 ns
    2.1V @ 15V, 35A
    610 ns
    沟渠现场停车
    无
    20V
    2.53nF @ 25V
    -
    符合RoHS标准
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