Microsemi Corporation APT45GP120J

工厂交货时间

17 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

ISOTOP

引脚数

4

质量

30.000004g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.3V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

系列

POWER MOS 7®

已出版

1999

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

低导通损耗

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

329W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

额定电流

75A

引脚数量

4

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

75A

最大集极截止电流

500μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

3.94nF

接通时间

47 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.9V @ 15V, 45A

连续集电极电流

75A

关断时间-标准值（toff)

230 ns

IGBT类型

PT

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

3.94nF @ 25V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

高度

9.6mm

长度

38.2mm

宽度

25.4mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅