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首页 全部分类 APT50M65B2FLLG vs FCH077N65F-F155

APT50M65B2FLLG备选型号: FCH077N65F-F155

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  • 终止次数
  • 端子表面处理
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  • 端子位置
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 电阻
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • Microsemi Corporation
    APT50M65B2FLLG
    Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    SILICON
    67A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1997
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    500V
    SINGLE
    67A
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    694W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 33.5A, 10V
    5V @ 2.5mA
    7010pF @ 25V
    141nC @ 10V
    28ns
    ±30V
    30 ns
    67A
    30V
    0.065Ohm
    268A
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH077N65F-F155
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 650V 54A TO247
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    54A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FRFET®, SuperFET® II
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    40 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    77m Ω @ 27A, 10V
    5V @ 5.4mA
    7109pF @ 100V
    164nC @ 10V
    35ns
    ±20V
    5 ns
    54A
    30V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6.39g
    77mOhm
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSFM-T3
    1
    Single
    TO-247AB
    650V
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