APT60N60SCSG/TR备选型号: STB40N60M2
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 场效应管特性
- 最大rds
- RoHS状态
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 无铅
- MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D3Pak60A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™2011活跃1 (Unlimited)150°C-55°CN-Channel45mOhm @ 44A, 10V3.9V @ 3mA7200pF @ 25V190nC @ 10V600V±30V60A7.2nF超级交界处45 mΩ符合RoHS标准-----------------------
- MOSFET POWER MOSFET26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--34A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ II Plus-活跃1 (Unlimited)--N-Channel88m Ω @ 17A, 10V4V @ 250μA2500pF @ 100V57nC @ 10V600V±25V34A---ROHS3 CompliantTin3.949996gSILICON2EAR99鸥翼未说明未说明STB40NR-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN20.5 nsSWITCHING13.5ns11 ns25V0.088Ohm600V500 mJ无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB65R045C7ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 | 对比 |
![]() | STB40N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |
![]() | IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 | 对比 |





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