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APT65GP60B2G备选型号: NGTB30N60L2WG

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  • 开关能量
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  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • ECCN 代码
  • Reach合规守则
  • 功率 - 最大
  • 反向恢复时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • Microsemi Corporation
    APT65GP60B2G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3 Tab) T-MAX
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    POWER MOS 7®
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    600V
    833W
    100A
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    100A
    84 ns
    2.7V @ 15V, 65A
    219 ns
    PT
    210nC
    250A
    30ns/91ns
    605μJ (on), 896μJ (off)
    符合RoHS标准
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NGTB30N60L2WG
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin TO-247 Tube
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    600V
    175°C TJ
    Tube
    -
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    225W
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    1.6V
    100A
    -
    1.6V @ 15V, 30A
    -
    -
    166nC
    60A
    100ns/390ns
    310μJ (on), 1.14mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    11 Weeks
    EAR99
    not_compliant
    225W
    70 ns
    20V
    6.5V
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