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APT65GP60L2DQ2G备选型号: APT102GA60L

APT65GP60L2DQ2G

Microsemi Corporation

Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 3-Pin(3 Tab) TO-264 MAX

通孔
通孔
TO-264-3, TO-264AA
3
SILICON
600V
-55°C~150°C TJ
Tube
POWER MOS 7®
1999
e1
yes
不用于新设计
1 (Unlimited)
3
EAR99
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
低导通损耗
600V
833W
198A
3
Single
COLLECTOR
Standard
电源控制
N-CHANNEL
600V
198A
85 ns
2.7V @ 15V, 65A
220 ns
PT
210nC
250A
30ns/90ns
605μJ (on), 895μJ (off)
6V
无
符合RoHS标准
无铅
-
-
APT102GA60L

Microsemi Corporation

IGBT 600V 183A 780W TO264

通孔
通孔
TO-264-3, TO-264AA
3
SILICON
600V
-55°C~150°C TJ
Tube
-
1999
e1
yes
活跃
1 (Unlimited)
3
EAR99
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
低导通损耗
-
780W
-
3
Single
COLLECTOR
Standard
电源控制
N-CHANNEL
2.5V
183A
64 ns
2.5V @ 15V, 62A
389 ns
PT
294nC
307A
28ns/212ns
1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
6V
无
符合RoHS标准
-
32 Weeks
780W
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