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首页 全部分类 APT65GP60L2DQ2G vs IXGK64N60B3D1

APT65GP60L2DQ2G备选型号: IXGK64N60B3D1

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  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 反向恢复时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • Microsemi Corporation
    APT65GP60L2DQ2G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 3-Pin(3 Tab) TO-264 MAX
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    600V
    833W
    198A
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    198A
    85 ns
    2.7V @ 15V, 65A
    220 ns
    PT
    210nC
    250A
    30ns/90ns
    605μJ (on), 895μJ (off)
    6V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXGK64N60B3D1
    IXYS
    IGBT 600V 460W TO264
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    -
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    锡银铜
    低导通损耗
    -
    460W
    -
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    400A
    64 ns
    1.8V @ 15V, 50A
    326 ns
    PT
    168nC
    -
    25ns/138ns
    1.5mJ (on), 1mJ (off)
    5V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    30 Weeks
    600V
    未说明
    unknown
    未说明
    R-PSFM-T3
    不合格
    460W
    35 ns
    20V
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