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首页 全部分类 APT66M60B2 vs STY60NM60

APT66M60B2备选型号: STY60NM60

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Microsemi Corporation
    APT66M60B2
    Microsemi Corporation
    Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3 Tab) T-MAX
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    SILICON
    70A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1997
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    90mOhm
    Pure Matte Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    600V
    SINGLE
    未说明
    66A
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    75 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 33A, 10V
    5V @ 2.5mA
    13190pF @ 25V
    330nC @ 10V
    85ns
    ±30V
    70 ns
    70A
    30V
    600V
    245A
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STY60NM60
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3 Tab) Max247 Tube
    -
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    60A Tc
    150°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    600V
    -
    -
    60A
    -
    3
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    55 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 30A, 10V
    5V @ 250μA
    7300pF @ 25V
    266nC @ 10V
    95ns
    ±30V
    76 ns
    60A
    30V
    600V
    240A
    20.3mm
    5.9mm
    5.3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    MDmesh™
    e3
    STY60N
    Single
    560W
    4V
    0.055Ohm
    无SVHC
    无
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