APT70GR120L备选型号: FGL40N120ANDTU

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 无铅
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  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • JESD-609代码
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  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 接通时间
  • 最大结点温度(Tj)
  • 连续集电极电流
  • 关断时间-标准值(toff)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Microsemi Corporation
    IGBT 1200V 160A 961W TO264
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    961W
    Single
    Standard
    961W
    N-CHANNEL
    3.2V
    160A
    1200V
    3.2V @ 15V, 70A
    NPT
    544nC
    280A
    33ns/278ns
    3.82mJ (on), 2.58mJ (off)
    30V
    6.5V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 64A 3-Pin(3 Tab) TO-264 Rail
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2008
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    500W
    Single
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    64A
    1200V
    3.2V @ 15V, 40A
    NPT
    220nC
    160A
    15ns/110ns
    2.3mJ (on), 1.1mJ (off)
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    Tin
    3
    6.756g
    SILICON
    3.15V
    e3
    yes
    3
    EAR99
    8541.29.00.95
    1.2kV
    64A
    500W
    15 ns
    电源控制
    20ns
    112 ns
    45 ns
    150°C
    64A
    165 ns
    29mm
    20mm
    5mm
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