ON Semiconductor FGL35N120FTDTU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

引脚数

3

质量

6.756g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Test Conditions

600V, 35A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

368W

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

368W

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

70A

反向恢复时间

337 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 35A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

210nC

集极脉冲电流（Icm）

105A

Td（开/关）@25°C

34ns/172ns

开关能量

2.5mJ (on), 1.7mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

25V

栅极-发射极Thr电压-最大值

7.5V

高度

26.4mm

长度

20.2mm

宽度

5.2mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅