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首页 全部分类 APT75GN60BG vs FGY75N60SMD

APT75GN60BG备选型号: FGY75N60SMD

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  • 额定电流
  • 引脚数量
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  • 元素配置
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  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • JEDEC-95代码
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 已出版
  • HTS代码
  • 功率 - 最大
  • 反向恢复时间
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APT75GN60BG
    Microsemi Corporation
    IGBT 600V 155A 536W TO247
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    HIGH RELIABILITY
    600V
    536W
    155A
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    47 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    155A
    TO-247AD
    95 ns
    1.85V @ 15V, 75A
    485 ns
    沟渠现场停车
    485nC
    225A
    47ns/385ns
    2500μJ (on), 2140μJ (off)
    30V
    6.5V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGY75N60SMD
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    -
    750W
    -
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    150A
    -
    76 ns
    2.5V @ 15V, 75A
    161 ns
    场站
    248nC
    225A
    24ns/136ns
    2.3mJ (on), 770μJ (off)
    20V
    6.5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago)
    3
    7.629g
    1.9V
    2010
    8541.29.00.95
    750W
    55 ns
    29ns
    20.32mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
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