ON Semiconductor FGY75N60SMD

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

引脚数

3

质量

7.629g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.9V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 75A, 3 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

低导通损耗

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

750W

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

750W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

150A

反向恢复时间

55 ns

接通时间

76 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 75A

关断时间-标准值（toff)

161 ns

IGBT类型

场站

闸门收费

248nC

集极脉冲电流（Icm）

225A

Td（开/关）@25°C

24ns/136ns

开关能量

2.3mJ (on), 770μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

最大下降时间 (tf)

29ns

高度

20.32mm

长度

15.87mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅