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首页 全部分类 APT77N60BC6 vs FCH041N60F

APT77N60BC6备选型号: FCH041N60F

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  • 端子位置
  • 引脚数量
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 无铅代码
  • 元素配置
  • JEDEC-95代码
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT77N60BC6
    Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH 600V 77A TO-247
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    77A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    1997
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    481W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    41m Ω @ 44.4A, 10V
    3.6V @ 2.96mA
    13600pF @ 25V
    260nC @ 10V
    27ns
    ±20V
    8 ns
    77A
    20V
    600V
    272A
    超级交界处
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH041N60F
    ON Semiconductor
    MOSFET 600V N-Channel MOSFET, FRFET
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.39g
    SILICON
    76A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    595W
    -
    63 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    41m Ω @ 38A, 10V
    5V @ 250μA
    14365pF @ 100V
    360nC @ 10V
    66ns
    ±20V
    53 ns
    76A
    20V
    600V
    228A
    -
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    Tin
    3
    yes
    Single
    TO-247AB
    2025 mJ
    无铅
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