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APT7M120S备选型号: FQB6N60TM
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 无铅
MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAKIN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)19 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON8A Tc-55°C~150°C TJBulkPOWER MOS 8™1997e1yes活跃1 (Unlimited)2Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定DUAL鸥翼245303R-PDSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING2.1 Ω @ 3A, 10V5V @ 1mA2565pF @ 25V80nC @ 10V1200V±30V8A7A2.5Ohm1200V575 mJ符合RoHS标准---------------
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-6.2A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2000--Obsolete1 (Unlimited)------------N-Channel-1.5Ohm @ 3.1A, 10V5V @ 250μA1000pF @ 25V25nC @ 10V600V±30V6.2A----符合RoHS标准D2PAK (TO-263AB)150°C-55°C600V6.2ASingle3.13W70ns45 ns30V600V1nF1.5Ohm1.5 Ω无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STH6N95K5-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 950V 6A | 对比 |
| FQB6N60TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK | 对比 |
 | SPB08P06PGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263 | 对比 |
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