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首页 全部分类 APT8065BVRG vs SPW11N80C3FKSA1

APT8065BVRG备选型号: SPW11N80C3FKSA1

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  • 输入电容
  • 辐射硬化
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  • 无铅
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  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Microsemi Corporation
    APT8065BVRG
    Microsemi Corporation
    Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    TO-247 [B]
    1
    Tube
    POWER MOS V®
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    800V
    13A
    280W
    12 ns
    N-Channel
    650mOhm @ 500mA, 10V
    4V @ 1mA
    3700pF @ 25V
    225nC @ 10V
    11ns
    800V
    12 ns
    13A
    30V
    3.7nF
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPW11N80C3FKSA1
    Infineon Technologies
    In a Tube of 30, N-Channel MOSFET, 11 A, 800 V, 3-Pin TO-247 Infineon SPW11N80C3FKSA1
    -
    -
    通孔
    TO-247-3
    -
    11A Tc
    Tube
    CoolMOS™
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    450m Ω @ 7.1A, 10V
    3.9V @ 680μA
    1600pF @ 100V
    85nC @ 10V
    -
    800V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    18 Weeks
    NO
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    ±20V
    11A
    0.45Ohm
    33A
    800V
    470 mJ
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