APT80GP60JDQ3备选型号: APT100GT60JR
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- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- RoHS状态
- 无铅
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- 最大功率耗散
- 端子位置
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- 引脚数量
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 输入电容
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- 栅极-发射极电压-最大值
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 151A 4-Pin SOT-2274 WeeksScrew底座安装ISOTOP4ISOTOP®151APOWER MOS 7®活跃1 (Unlimited)150°C-55°C600V151ASingleSingle462WStandard600V151A1.25mA600V2.7V @ 15V, 80APT无9.84nF @ 25V符合RoHS标准无铅----------------
- IGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOP24 WeeksChassis Mount, Screw底座安装ISOTOP4-600VThunderbolt IGBT®活跃1 (Unlimited)--600V148ASingle--Standard600V148A25μA-2.5V @ 15V, 100ANPT无5.15nF @ 25V符合RoHS标准无铅SILICON-55°C~150°C TJ19994UL 认证500WUPPERUNSPECIFIED4ISOLATED电源控制N-CHANNEL5.15nF115 ns450 ns30V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT75GP120J | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | ISOTOP | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227 | 对比 |
![]() | APT100GT60JR | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | ISOTOP | IGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOP | 对比 |





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