APT80GP60JDQ3备选型号: APT85GR120JD60
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- 功率 - 最大
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- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- RoHS状态
- 无铅
- 操作温度
- 已出版
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 输入电容
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 151A 4-Pin SOT-2274 WeeksScrew底座安装ISOTOP4ISOTOP®151APOWER MOS 7®活跃1 (Unlimited)150°C-55°C600V151ASingleSingle462WStandard600V151A1.25mA600V2.7V @ 15V, 80APT无9.84nF @ 25V符合RoHS标准无铅-----
- IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT22730 WeeksChassis Mount, Screw底座安装SOT-227-4, miniBLOC4-1.2kV-活跃1 (Unlimited)----Single-543WStandard1.2kV116A1.1mA1200V3.2V @ 15V, 85ANPT无8.4nF @ 25V符合RoHS标准无铅-55°C~150°C TJ2001EAR99543W8.4nF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT75GP120J | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | ISOTOP | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227 | 对比 |
![]() | APT100GT60JR | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | ISOTOP | IGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOP | 对比 |






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