您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 APTC60HM45T1G vs FSB50250

APTC60HM45T1G备选型号: FSB50250

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 系列
  • 类型
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • HTS代码
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 基本部件号
  • 电压-隔离度
  • 最大输出电流
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 配置
  • 最大电源电压
  • 最大额定电流
  • 电源电流
  • 输出电流
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 漏源击穿电压
  • 漏源电阻
  • 最小击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APTC60HM45T1G
    Microsemi Corporation
    MOSFET 4N-CH 600V 49A SP1
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw, Through Hole
    底座安装
    SP1
    1
    SILICON
    4
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    2012
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    250W
    UPPER
    12
    增强型MOSFET
    250W
    21 ns
    4 N-Channel (H-Bridge)
    SWITCHING
    45m Ω @ 24.5A, 10V
    3.9V @ 3mA
    7200pF @ 25V
    150nC @ 10V
    30ns
    600V
    45 ns
    49A
    20V
    600V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FSB50250
    ON Semiconductor
    Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers 2A Smart Power Mod (SPM)
    -
    通孔
    通孔
    23-PowerDIP Module (0.551, 14.00mm)
    23
    -
    -
    -
    -
    2016
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    23
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    4.5W
    DUAL
    -
    -
    4.5W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1A
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 23 hours ago)
    4.05g
    Motion SPM® 5
    MOSFET
    150°C
    -20°C
    8541.29.00.95
    1
    15V
    FSB50250
    1500Vrms
    1A
    13.5V
    3 Phase
    400V
    1A
    200μA
    1A
    500V
    1A
    500V
    3.3Ohm
    500V
    3.1mm
    29mm
    12mm
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFBA1404PPBF IRFBA1404PPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-273AA MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 对比
FSBB30CH60 FSBB30CH60 ON Semiconductor 功率驱动器模块 27-PowerDIP Module (1.205, 30.60mm) FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FSBB30CH60 SMART POWER MODULE, 600V, 30A 对比