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首页 全部分类 APTC60HM45T1G vs FSBB30CH60

APTC60HM45T1G备选型号: FSBB30CH60

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
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  • 生命周期状态
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  • 功能数量
  • 电源电压
  • 基本部件号
  • 输出的数量
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  • 输出电压
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  • 电源电流
  • 输出电流
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 漏源击穿电压
  • 最小击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APTC60HM45T1G
    Microsemi Corporation
    MOSFET 4N-CH 600V 49A SP1
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw, Through Hole
    底座安装
    SP1
    1
    SILICON
    4
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    2012
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    250W
    UPPER
    12
    增强型MOSFET
    250W
    21 ns
    4 N-Channel (H-Bridge)
    SWITCHING
    45m Ω @ 24.5A, 10V
    3.9V @ 3mA
    7200pF @ 25V
    150nC @ 10V
    30ns
    600V
    45 ns
    49A
    20V
    600V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FSBB30CH60
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FSBB30CH60 SMART POWER MODULE, 600V, 30A
    -
    通孔
    通孔
    27-PowerDIP Module (1.205, 30.60mm)
    27
    -
    600V
    -
    -
    2007
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    27
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    103W
    DUAL
    -
    -
    103W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    30A
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    13.32g
    Motion SPM® 3
    IGBT
    125°C
    -20°C
    1
    15V
    FSBB30CH60
    1
    2500Vrms
    800mV
    400V
    3 Phase
    450V
    30A
    500μA
    5mA
    2.75V
    30A
    600V
    600V
    4.5mm
    44mm
    27mm
    无SVHC
    无铅
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