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首页 全部分类 APTDF100H100G vs APTDF60H601G

APTDF100H100G备选型号: APTDF60H601G

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  • 终端形式
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  • 元素配置
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 正向电压
  • 相位的数量
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 平均整流电流（Io）
  • 电压 - 峰值反向（最大值）
  • Microsemi Corporation
    APTDF100H100G
    Microsemi Corporation
    Diode Rectifier Bridge Single 1KV 130A 20-Pin Case SP-4
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP4
    4
    SILICON
    1
    -40°C~175°C TJ
    Bulk
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    锡银铜
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    Single
    单相
    100μA @ 1000V
    2.7V @ 100A
    ISOLATED
    130A
    2.7V
    1
    100μA
    1kV
    500A
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTDF60H601G
    Microsemi Corporation
    Diode Rectifier Bridge Single 600V 92A 12-Pin Case SP-1
    -
    36 Weeks
    -
    底座安装
    SP1
    -
    -
    -
    -40°C~175°C TJ
    Bulk
    2007
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    单相
    25μA @ 600V
    2.3V @ 60A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    SP1
    92A
    600V
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