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首页 全部分类 APTGL180A1202G vs FF200R12KS4HOSA1

APTGL180A1202G备选型号: FF200R12KS4HOSA1

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  • 元素配置
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  • 最大集电极电流
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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 极性/通道类型
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • Microsemi Corporation
    APTGL180A1202G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 220A 750W SP2
    OBSOLETE (Last Updated: 3 weeks ago)
    22 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP2
    18
    1.2kV
    -40°C~175°C TJ
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    750W
    半桥
    Dual
    750W
    Standard
    1.2kV
    220A
    300μA
    1200V
    9.3nF
    2.2V @ 15V, 150A
    沟渠现场停车
    无
    20V
    9.3nF @ 25V
    2.2 V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FF200R12KS4HOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 1.2 kV, Module
    -
    20 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    7
    1.2kV
    -40°C~125°C
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    2 Independent
    Dual
    1400W
    Standard
    1.2kV
    275A
    5mA
    1200V
    -
    3.7V @ 15V, 200A
    -
    无
    -
    13nF @ 25V
    -
    符合RoHS标准
    SILICON
    3.2V
    yes
    7
    FAST
    UPPER
    UNSPECIFIED
    7
    1.4kW
    ISOLATED
    N-CHANNEL
    180 ns
    590 ns
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